長飛先進湖北武漢基地一期總投資80億元，占地344畝，達產后將具備年產36萬片外延、36萬片6寸碳化硅晶圓、6100萬個碳化硅功率模塊的制造能力。
圖片來源：長飛先進
來自安徽長飛先進半導體股份有限公司（簡稱：長飛先進）的消息顯示，5月28日，隨著首片晶圓從生產車間成功下線，總投資超200億元的長飛先進湖北武漢基地正式投產。
資料顯示，長飛先進是一家專注于碳化硅（SiC）功率半導體產品研發及制造的企業，具備從外延生長、器件與模塊設計、晶圓制造到模塊封測的全產業鏈能力。
長飛先進武漢基地坐落于東湖高新區光谷科學島，項目自2023年9月1日正式破土動工，目前已全線配備6/8英寸兼容設備，對標國際碳化硅器件大廠；同時構建了完善的工藝流程和完整的工藝平臺，可提供全面的工藝開發與技術解決方案；并建成碳化硅行業第一家全自動化天車搬運工廠（Auto3），可實現生產資源的高效利用，最大化發揮制造效率。
據悉，長飛先進武漢基地聚焦第三代半導體功率器件研發與生產，其中一期總投資80億元，占地344畝，達產后將具備年產36萬片外延、36萬片6寸碳化硅晶圓、6100萬個碳化硅功率模塊的制造能力，產品將主要用于新能源汽車、光伏、儲能、充電樁、電力電網等領域。
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